製品紹介｜株式会社JSファンダリ

製品幅:259px 高さ:108px	仕様幅:331px 高さ:108px	PDK 幅:331px 高さ:108px	Wafer size(mm) 幅:204px 高さ:108px
MOSFET 幅:259px 高さ:195px	Planer 幅:331px 高さ:81px	Released 幅:331px 高さ:81px	150 幅:204px 高さ:195px
	Trench 幅:331px 高さ:81px	Released 幅:275px 高さ:81px
	Sprit Gate 幅:331px 高さ:31px
IGBT 幅:259px 高さ:272px	Planer / Non Punch Through		150
	Planer / Punch Through 幅:331px 高さ:54px
	Trench / Field Stop	Released
	Trench / RC	Released
Diode	FRD	Released	150
	SBD	Released
	Zener	Released
Bipolar Transistor	NPN/PNP		150
CMOS	0.35uCMOS	Released	150
CMOS	0.35uCMOS HV	ongoing	150
BIDC	0.35uBIDC	ongoing	150
BIP	HV/MV BIP	Released ※
Backgrind/Backmetal	65um~	-	150/200
Probe test	LSI	-	150/200
	Mixed signal
	Analog
	Discrete
※Partial

工程	Wafer size(mm)
Epi(Sub/埋め込み)	150
熱酸化膜	150
PE-CVD(SiO2/TEOS/SiN)	150
LP-CVD(HTO/TEOS/Poly/SiN)	150
CMP(SiO2/Poly/W)	150
IGBT裏面加工（TAIKO=>II=>480C lamp anneal=>Backmetal=>Probe=>Ring Cut =>Tape mount）	150
Plating(電解/無電解)	150/200
Backgrind/TAIKO(Min60um)/Backmetal	150/200
ダイシング	150/200
TSVエッチング	150/200
WLP	200